这一章在干嘛？
第 6 章认识了 FET 家族，这一章解决「怎么让它停在合适的工作点」。套路和第 4 章像：固定偏置、自偏压、分压偏置……但 FET 用 电压 控制，方程从线性变成了 肖克利方程 （抛物线），所以多了一招「图解法」。学完就能给 JFET/MOSFET 电路口算 Q 点。
7.1 固定偏置与肖克利方程
FET 偏置的核心问题是求 VGS 和 ID。JFET 的转移特性由肖克利方程描述：
（：饱和漏电流；：夹断电压）
原书图 7.1：JFET 固定偏置：V_GS 由电源 V_GG 直接给定
原书图 7.3：肖克利方程的曲线：抛物线，V_GS=0 时 I_D=I_DSS
和 BJT 的区别：
固定偏置下 BJT 的 I B 要算，而这里 V GSQ =V GG 直接读出来，再到特性曲线上「竖着切一刀」找到 I DQ ——纯查表，零计算。
7.2 自偏压：一颗电阻搞定负偏压
JFET 需要反偏（N 沟道 VGS＜0），但电路里不想多加一个负电源。妙招：让 ID 流过源极电阻 RS，抬高端电压，栅极保持 0 电位 → VGS = −ID·RS，自动得到负偏压：
原书图 7.8：JFET 自偏压：I_D 流过 R_S 自动产生负的 V_GS
图解法：VGS=−IDRS 是一条过原点的直线，与抛物线的交点就是 Q 点：
原书图 7.11：自偏压线与转移曲线的交点 = Q 点
两个未知数两个方程：
器件方程（抛物线）+ 电路方程（直线），联立求解。手算可代公式，图解更直观——这就是 FET 偏置比 BJT 多的一步。
7.3 分压偏置：工程首选 ⭐
和 BJT 一样，用 R1/R2 分压锁定栅极电位，Q 点更稳：
原书图 7.17：分压偏置：R1/R2 设定 V_G，V_GS = V_G − I_D·R_S
原书图 7.19：分压偏置的电路方程线：起点抬高、斜率不变
（还是一条直线，只是不再过原点）
此外还有共栅组态（VGS=−IDRS+VSS 的变形）和耗尽型 MOSFET 的特殊点（VGS 可以是正的）：
原书图 7.23：共栅组态的两种画法：偏置原理不变
7.4 增强型 MOSFET 偏置：另一套方程
E-MOSFET 必须正偏超过阈值 VT 才导通，肖克利方程换成：
I
D
= k·(V
GS
− V
T
)
2
（k 由手册的 I
D(on)
反推）
常用两种接法：漏极反馈偏置（RG 从漏极拉回栅极，VDS=VGS）和 分压偏置：
原书图 7.37：漏极反馈偏置：栅极无电流，R_G 上没有压降
原书图 7.43：E-MOSFET 分压偏置：与 JFET 分压偏置形式相同
记忆要点：
耗尽型（JFET/D-MOSFET）用肖克利方程，V GS 通常为负；增强型用 k(V GS −V T )²，V GS 必须为正（N 沟道）。先认器件，再选方程。
7.5 P 沟道与万能偏置曲线
P 沟道只是把所有电压电流符号反过来，算法完全一样。手册有时不给你完整特性曲线，此时可用通用偏置曲线（归一化的肖克利曲线族）按比例查：
原书图 7.59：通用 JFET 偏置曲线：任意管子的 Q 点都能按归一化比例查出
1. JFET 自偏压是怎么「自动」产生负的 V_GS 的？
I_D 流过源极电阻 R_S，把源极电位抬高到 I_D·R_S，而栅极经 R_G 接 0 电位，于是 V_GS = 0 − I_D·R_S = −I_D·R_S，自动为负。
2. 为什么 FET 偏置常用图解法而 BJT 少用？
BJT 的 I_C≈βI_B 是线性关系，直接代公式即可；FET 的肖克利方程是平方（抛物线），与电路方程（直线）联立要解一元二次方程，图解法更直观且不易出错。
3. 增强型 MOSFET 能用自偏压吗？为什么？
不能。自偏压产生 V_GS=−I_D·R_S，而 E-MOSFET 需要 V_GS>0（N 沟道）才有沟道，负偏只会让它截止。E-MOSFET 用漏极反馈或分压偏置。