这一章在干嘛？
认识 FET 家族：JFET、耗尽型 MOSFET、增强型 MOSFET。它们靠电场（电压）控制沟道导电，栅极几乎不取电流——输入阻抗高达百 MΩ 级。最后讲讲数字电路的基石 CMOS。
6.1 JFET 结构与水阀类比
JFET（结型场效应管）是一条 N 型（或 P 型）「沟道」，两端叫漏极 D 和源极 S，侧面的 P 区叫栅极 G。改变栅源反偏电压，就能捏扁沟道、控制电流：
原书图 6.3：JFET 结构：沟道 + 两个栅结
原书图 6.4：水阀类比：栅压就像拧水龙头，控制「水流」I_D
6.2 特性曲线：I_DSS、V_P 与夹断
VGS=0 时的饱和漏电流叫 IDSS；把沟道完全捏死所需的 VGS 叫夹断电压 VP（负值）。输出特性分可变电阻区和饱和（放大）区：
原书图 6.8：夹断时刻：V_DS 增大到 V_P，沟道在漏端被掐断，I_D 饱和
原书图 6.11：n 沟道 JFET 输出特性（I_DSS=8 mA，V_P=−4 V）：左下是可变电阻区，右侧平坦区是放大区
Shockley 方程：I
D
= I
DSS
·(1 − V
GS
/V
P
)² （平方律，和 BJT 的指数律对应）
从输出特性图解出转移特性曲线（ID~VGS）：
原书图 6.17：从漏极特性逐点搬出转移曲线：两图共享纵轴 I_D
6.3 JFET 符号与 BJT 对比
原书图 6.14：JFET 符号：n 沟道与 p 沟道，箭头永远指 N
原书图 6.23：JFET vs BJT：栅极几乎零电流 vs 基极要吃电流；压控 vs 流控
重要差异：
JFET 的 V GS 只能反偏（n 沟道只能负压），跨导 g m 通常比 BJT 的 1/r_e 小——单级增益低一些，但输入阻抗高得多的优势常常更重要。
6.4 耗尽型 MOSFET：正负通吃
MOSFET 栅极是隔着一层绝缘氧化物（SiO₂）的「金属板」，输入阻抗飙到 10¹⁰ Ω 以上。耗尽型自带沟道：VGS 可以负（夹断）也可以正（增流）：
原书图 6.24：n 沟道耗尽型 MOSFET 结构
原书图 6.26：耗尽型 MOSFET 的漏极与转移特性：V_GS 正负都行
6.5 增强型 MOSFET：数字世界的打工皇帝
增强型没有原始沟道：VGS 超过门槛电压 VT(VGS(Th)) 后，感应出沟道才开始导电——「不推不动」：
原书图 6.32：n 沟道增强型 MOSFET 结构
原书图 6.33：沟道形成：栅压把电子「吸」到表面，连成导电沟道
I
D
= k·(V
GS
− V
T
)² （V
GS
V
T
后才导通）
6.6 CMOS：低功耗的魔法
把 n 沟道和 p 沟道增强型 MOSFET 互补搭配，就是 CMOS 反相器：任何稳态下总有一管截止，静态电流几乎为零——手机 SoC 里几十亿个这样的门：
原书图 6.45：CMOS 反相器：输入高 → NMOS 导通拉低输出；输入低 → PMOS 导通拉高输出
MOSFET 怕静电：
栅极绝缘层极薄，几十伏静电就能击穿。拿管子前摸摸接地金属，焊接用防静电烙铁。
1. JFET 的 I_DSS 和 V_P 分别是什么？
I_DSS 是 V_GS=0 时的饱和漏极电流；V_P 是让沟道完全夹断（I_D→0）所需的栅源电压，n 沟道为负值。
2. 耗尽型和增强型 MOSFET 的本质区别？
耗尽型自带导电沟道，V_GS=0 就有 I_DSS 电流，正负栅压都能控；增强型没有原始沟道，必须 V_GS 超过门槛电压 V_T 才形成沟道导通。
3. CMOS 静态功耗为什么极低？
互补的 NMOS/PMOS 在任一稳态下必有一管截止，电源到地几乎无通路，静态电流只有纳安级；功耗主要来自翻转时的开关损耗。